工艺良率低于预期,三星3nm工艺或无法如期量产

在上周的财报会议上,台积电高层再度公开明确,3nm工艺制程一切如期,将在下半年投入量产。

听闻这一消息,相信作为首批客户的苹果、Intel等自然是喜上眉梢,而竞争对手三星那边厢,恐怕是心情复杂。

据Digitimes,三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期,这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产。

所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管,它取代的是FinFET(鳍式场效应晶体管),前者可以实现四边充当电流通道,二者则只有三边。

三星本来想着通过抢占技术制高点“降维”打击台积电,没想到后者坚持在3nm使用FinFET后,结果更务实。

今年早些时候曾有报道称,半导体设备巨头Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蚀刻相关的机器,三星希望在上半年完成全套工艺的质量验证。

版权声明:aysz01 发表于 2024-04-16 16:52:52。
转载请注明:工艺良率低于预期,三星3nm工艺或无法如期量产 | 电工学习网

暂无评论

暂无评论...